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碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)
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SiC晶圓質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng)
Z掃描測(cè)試系統(tǒng)-ZTS100
高速探測(cè)器
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產(chǎn)品分類
MICRO LED晶圓級(jí)綜合檢測(cè)系統(tǒng)明場(chǎng)/PL檢測(cè)類型：明場(chǎng)缺陷分析、電極缺陷分析、PL缺陷分析。
更新時(shí)間：2024-12-04
瀏覽量：740
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池綜合性檢測(cè)分析系統(tǒng)檢測(cè)時(shí)間＜10 min（10cm*10cm） 空間分辨率20 μm/100μm。
更新時(shí)間：2024-12-04瀏覽量：338
碳化硅成像檢測(cè),SiC晶圓質(zhì)量成像檢測(cè)系統(tǒng)：晶圓襯底質(zhì)量（載流子壽命）高速成像，快速篩查外延片晶格質(zhì)量。
更新時(shí)間：2024-12-04瀏覽量：690
碳化硅襯底檢測(cè),碳化硅成像檢測(cè),碳化硅襯底位錯(cuò)缺陷光學(xué)無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)：最高檢測(cè)速度：＜17min/片（6“）；BPD、TSD、TED分類識(shí)別。
更新時(shí)間：2024-12-04瀏覽量：1004
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